芯联集成公布“一种半导体器件及其制造方法”专利

天眼查APP显示，近日，芯联集成电路制造股份有限公司申请的“一种半导体器件及其制造方法”专利公布。 摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用凹陷可将材料分割成两部分的特性，与侧墙工艺结合，进而可利用在凹陷的内侧壁上形成侧墙材料和自对准工艺，准确高效的在第一凹槽和第二凹槽的上半部分自对准的形成两个相对且分割开的第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅，即在位于源极连接区内的第二凹槽中露出了部分空隙，而后再通过该空隙设置将源极多晶硅电性引出的导电插塞，保证了导电插塞与源极多晶硅的正常连接，并提出了一种呈上下结构的SGT器件的新的制造流程，亦实现了简化制作流程和降低制造成本的目的。